1. 產(chǎn)品概述

THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐，優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng)。

2. 設備用途/原理

THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐，優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng)，高精度溫度場控制技術，優(yōu)良的顆?？刂萍夹g，可靠的氫氣工藝能力技術，高產(chǎn)能。

3. 設備特點

晶圓尺寸 12 英寸，適用材料硅。適用工藝 低壓合金、金屬 / 非金屬退火、薄片退火。適用域  新興應用、集成電路、優(yōu)良封裝。退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設計的設備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，超節(jié)能結構，采用纖維結構，節(jié)電60%。